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其是什么结构的字长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器结构及其字线制造方法“授权公告号CN110534480B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示，本发明提供一种半导体储存器结构及其字线制造方法，该制造方法在衬底中制备出多重式的字线凹槽，字线凹槽由深度不同的第一字线凹槽与等我继续说。
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其是什么结构的字偏旁是什么金融界2024年3月13日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“集成电路器件及其制造方法“授权公告号CN110911416B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示，一种集成电路器件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案。字线结构和绝缘结构彼此交错是什么。
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?▂? 其是什么结构的字怎么读X轴方向和Y轴方向垂直；形成覆盖接触孔的金属线，接触孔位于字线和金属线之间并分别与字线和金属线接触；其中，接触孔与金属线的接触面积大于接触孔与字线的接触面积。上述字线引出结构，通过使接触孔与金属线的接触面积大于接触孔与字线的接触面积，可以减小字线引出结构的接触后面会介绍。
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＞﹏＜ 其是什么结构多条字线均沿第一方向延伸，且沿第二方向间隔设置于衬底上，每相邻两条字线之间均设置有字线隔离结构；字线隔离结构至少包括沿第二方向层叠设置的第一隔离层和第二隔离层，第一隔离层和第二隔离层的材料不同，第一方向和第二方向相互交叉。本公开能够有效提高字线隔离结构的隔小发猫。
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其是什么结构的汉字提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：阵列区和包围所述阵列区的隔断区；阵列区中包括沿第一方向延伸的部分位线以及沿第二方向延伸的部分字线；隔断区中包括与阵列区至少一侧相邻的引出区，字线和/或位线还位于引出区中；隔断区中包括浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构还有呢？
单一结构和独体字区别
其是什么结构什么偏旁所述晶体管结构包括覆盖所述第一沟槽内壁的栅极层、以及位于所述栅极层内的有源结构；形成沿所述第二方向延伸的字线，所述字线包覆沿所述第二方向间隔排布的多个所述存储区域内的所述栅极层。本公开简化了水平字线的形成工艺，降低了半导体结构的制造成本，并改善了半导体结还有呢？
其是什么结构的字
其是什么结构字体涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。本公开的形成方法包括提供基底，基底包括衬底，衬底的一侧形成有晶体管、字线结构、位线结构以及覆盖晶体管、字线结构、位线结构及衬底的绝缘层；在绝缘层内形成第一接触孔，第一接触孔露出衬底；形成随形贴附于第一接触孔的内壁的保是什么。
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其是什么结构什么部首的字本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底；多个有源柱，位于所述衬底内，所述多个有源柱沿第一方向和第二方向呈阵列排布，所述第一方向和所述第二方向均为平行于所述衬底的顶面的方向，且所述第一方向与所述第二方向相交；多条字线，多条所述字线沿所述第等会说。
∪△∪ 其是什么结构字至少一隔离沟槽，所述隔离沟槽形成在两列所述有源区之间且沿所述第一方向延伸，所述隔离沟槽贯穿多个所述字线沟槽以将形成所述字线沟槽的侧壁分割为多段。根据本发明实施例的半导体结构，能够避免热氧化过程中由于膨胀应力导致的字线沟槽弯曲，有利于后续字线栅极金属的填充好了吧！
目标栅极沟槽的沿第二方向延伸的侧壁包括由内至外依次叠置的第一子侧壁及第二子侧壁；于目标栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的两个沿第二方向间隔的栅极结构。本公开至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下，增加单个存储单元结构中栅极结构与字线结构的厚度是什么。
